文｜半導體產(chǎn)業(yè)縱橫
?國內(nèi)市場DRAM現(xiàn)貨價格在整個11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴重。相比之下，NAND閃存價格顯示出穩(wěn)定跡象。
業(yè)內(nèi)估計，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價下降約 9%。在產(chǎn)品價格貢獻方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一，長江存儲旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼，在京東實現(xiàn)了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過了三星。
進入12月，隨著國內(nèi)促銷活動結(jié)束以及海外圣誕節(jié)備貨工作的收尾，存儲現(xiàn)貨市場進入相對平穩(wěn)期。采購需求的降低，讓現(xiàn)貨價格隨之平穩(wěn)，市場整體態(tài)勢無顯著變化。市場表示，經(jīng)過2～3個季度的庫存調(diào)整，庫存壓力已顯著緩解。預計制造商更嚴格的供應控制將逐漸恢復補貨需求。也有業(yè)內(nèi)人士表示，近期有部分原廠控貨惜售，令部分低價資源出現(xiàn)回漲現(xiàn)象。
01、DDR4價格大跌
閃存市場數(shù)據(jù)顯示，在過去六個月中，隨著分銷渠道的連續(xù)萎縮，SSD和DRAM模塊的價格下降了20%以上。在連續(xù)兩個季度價格下降后，11月的現(xiàn)貨市場仍然出現(xiàn)波動，過剩的供應和疲軟的補貨需求將DRAM價格推至低于去年同期的水平。
11月的現(xiàn)貨市場數(shù)據(jù)顯示，DDR4價格大幅下跌，4GB、8GB和16GB等容量的月度跌幅在8%至10%之間。自第四季度開始以來，價格繼續(xù)逐步下降。DDR4 16GB 3200的價格從10月初的2.92美元下降到11月底的2.40美元，累計下降了17.8%。同樣，DDR4 4GB eTT的價格在兩個月內(nèi)下降了16%。相比之下，DDR5的價格保持得更為穩(wěn)定，同期僅下降了中個位數(shù)。
從國內(nèi)消費電子市場來看，DDR4內(nèi)存自2014年問世以來，憑借其穩(wěn)定的性能、廣泛的兼容性和相對親民的價格，迅速成為了市場上的主流選擇。其工作電壓為1.2V，數(shù)據(jù)傳輸率可達1600-3200 MT/s，最大DIMM容量可達64GB，這些特性使得DDR4在性能、能效和成本之間取得了良好的平衡。
在當前DDR4內(nèi)存價格普遍殺價的情況下，其性價比優(yōu)勢更加凸顯。對于大多數(shù)日常辦公、游戲娛樂和常規(guī)多任務處理的用戶來說，DDR4內(nèi)存已經(jīng)完全能夠滿足需求，且無需承擔高昂的升級成本。
DDR3、DDR4等成熟產(chǎn)品價格走勢與消費性產(chǎn)品終端銷售、供應鏈庫存去化更直接相關(guān)。從當前的市場售價來看，DDR4內(nèi)存的價格已經(jīng)降至歷史低位，市場分析，若消費性市場需求好轉(zhuǎn)，2025年下半年成熟型存儲器行情，或有翻轉(zhuǎn)可能，但上半年應仍呈現(xiàn)供過于求的狀況。
在國際廠商瞄準DDR5與HBM的同時，DDR4在中國大陸市場還有不小的發(fā)展空間。
02、DDR5保持韌性
DDR5內(nèi)存作為新一代內(nèi)存技術(shù)，帶來了諸多改進。其工作電壓降低至1.1V，數(shù)據(jù)傳輸率提升至3200-6400 MT/s，最大DIMM容量更是高達128GB。這些提升使得DDR5在帶寬、功耗和內(nèi)存容量方面均優(yōu)于DDR4，為處理大型數(shù)據(jù)集、運行復雜軟件和進行多任務處理提供了更高的效率。
但DDR5內(nèi)存仍沒有迎來全面普及時代。首先，DDR5內(nèi)存的價格雖然有所下降，但仍然明顯高于DDR4。對于預算有限的普通玩家來說，升級成本可能是一個不小的負擔。其次，DDR5內(nèi)存需要兼容的主板和CPU支持，這意味著用戶在進行升級時可能還需要更換其他硬件，進一步增加了升級成本和時間成本。
對于普通玩家來說，如果當前的DDR4內(nèi)存已經(jīng)能夠滿足使用需求，那么升級DDR5內(nèi)存所帶來的性能提升可能并不顯著，而升級成本卻相對較高。因此，從性價比的角度出發(fā)，普通玩家在當前階段將DDR4內(nèi)存升級為DDR5內(nèi)存的必要性并不大。
從國內(nèi)市場來看，大陸的DRAM制造商正通過推出極具性價比的產(chǎn)品來擴大市場份額，尤其是在DDR4內(nèi)存的生產(chǎn)上，降幅達到驚人的50%。原本由三星、SK海力士和美光制造的相同規(guī)格DDR4芯片，轉(zhuǎn)向中國制造商的產(chǎn)品，更具性價比。這種情況不僅使中國廠商獲得了新的客戶，還引發(fā)了外資企業(yè)的緊張氣氛，韓企也開始調(diào)整生產(chǎn)策略，逐漸減少DDR4的產(chǎn)量，轉(zhuǎn)向更高端的DDR5和HBM產(chǎn)品。
前三存儲大廠在HBM3E的供應進度，將直接影響其對DDR5產(chǎn)品的供應能力，也將直接影響DDR5的價格走勢。
傳統(tǒng)DRAM平均售價，預估從第一季至第四季，皆呈現(xiàn)個位數(shù)字緩跌，其中，DDR5價格走勢，較DDR4價格波動小。
03、HBM沖出重圍
DDR4、DDR5雖然銷售不甚樂觀，但HBM在2024熱火朝天，同時市場也預測HBM樂觀的行情會持續(xù)到2025年。彭博預計到 2033 年，使用 HBM 的 AI 芯片預計將以每年 17% 的速度增長至超過 1900 萬片，由于 AI 模型復雜性的增加，每片芯片的 HBM 需求也將以同樣的速度增長。這一增長預計將使 HBM 總需求從 2023 年的 3.72 億 GB 增加到 87 億 GB，年增長率為 37%。
機構(gòu)預測2025年DRAM平均售價年增率達17.0％；不過，DRAM平均售價上揚的動力，僅來自HBM產(chǎn)品。TrendForce預期，2025年DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值年增36.3％至1,247.16億美元、位元出貨量年增24.7％、平均單價年增17.0％，三者皆呈雙位數(shù)成長。HBM在DRAM市場的滲透率將逐步提升，預估2025年第四季度時，HBM滲透率約達10％，HBM3E顆粒預計占2025年HBM的85％。
就DRAM總體供需而言，2024年第四季到2025年第一季，呈現(xiàn)短暫供過于求后，至2025年第二季后，隨著市場開始備貨，將轉(zhuǎn)為供不應求。DRAM前三大廠正在積極備戰(zhàn)HBM市場，2025年將加快產(chǎn)線升級至1b納米，主要供應HBM3E；2026 年將再往1c納米邁進，主要供應最新產(chǎn)品HBM4。
全球云服務公司及大企業(yè)積極投資生成式AI將對DRAM的后續(xù)帶來積極影響。三星、SK海力士及美光等三大DRAM大廠，紛紛將研發(fā)與生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)向HBM，也影響了傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能及價格。
SK 海力士2025 年設置了AI芯片開發(fā)部門。新設的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等未來技術(shù)，新提拔的管理者多來自 HBM 和 DRAM 等核心產(chǎn)品競爭力提升團隊，凸顯公司對未來增長的戰(zhàn)略布局。SK海力士計劃于2025年第一季度提供業(yè)界容量最大、層數(shù)最多的48GB、16層HBM產(chǎn)品樣品。
三星計劃在 2025 年初推出用于 HBM4 的 10 納米規(guī)模的第六代 (1c) DRAM；在 2026 年推出相同規(guī)模的第七代 (1d) DRAM；在 2027 年推出其首款亞 10 納米 (0a) DRAM。
供應鏈消息人士透露，在政府資源的大力支持下，工藝良率可能不是芯片制造商的首要擔憂。在 HBM 發(fā)展的過渡階段，隨著晶圓制造的增加，HBM 和 DDR5 之間的 IC 工藝交叉可能會導致 DDR5 供應量出現(xiàn)快速波動。這一初始增長可能會深刻影響 DDR5 的消費應用市場。
04、NAND市場保持穩(wěn)定
最后，再來看一下NAND市場。
閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2024年第三季度全球NAND Flash市場規(guī)模達190.2億美元，環(huán)比增長5.7%，同比增長93.9%。NAND價格從11月開始穩(wěn)定，512GB晶圓價格從3.3美元小幅下降至3.2美元。然而，供應鏈內(nèi)部人士指出，實際交易價格仍低于市場掛牌價格。11月初，消費級512GB NAND晶圓的議價約為2.9美元，由于激烈價格競爭，一些報價低至2.2-2.3美元。2024年早些時候的投機性期貨交易導致了庫存壓力和利息成本，導致三個月后的大規(guī)模拋售。
在經(jīng)歷了幾個動蕩的季度后，只有2-3家主要的內(nèi)存模塊制造商保留了庫存，大多數(shù)較小的制造商已經(jīng)清空了他們的庫存。
自11月中旬以來，上游制造商收緊了發(fā)貨控制，使512GB晶圓的現(xiàn)貨價格與官方價格保持一致。這一策略旨在穩(wěn)定市場，因為年底發(fā)貨逐漸減少，以保持價格穩(wěn)定并支持改善的年終財務業(yè)績。
市場份額來看，BS BusinessWorld 和 Blocks and Files 報告稱，三星是 NAND 市場的領導者，占有 36.9% 的份額，而 SK Hynix 和 Solidigm 合計占有 22.1%。值得注意的是，SK海力士在全球NAND市場的份額已經(jīng)從2020年的11.7%增長到2024年第二季度的22.5%。
NAND市場廠商們沖刺層競爭激烈，預計2025年NAND時代將進入400層，2027年將達到1000層。韓國業(yè)內(nèi)專家認為，三星、SK海力士、美光等都將在2025年推出400層NAND產(chǎn)品。
SK海力士已開始量產(chǎn)321層1Tb TLC 3D NAND Flash產(chǎn)品。此前，NAND 產(chǎn)品的最高層數(shù)為238層，SK海力士成為第一家成功量產(chǎn) 300 層 NAND 產(chǎn)品的公司。新款 321 層 1Tb TLC 3D NAND 的數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提升了 12% 和 13%，數(shù)據(jù)讀取功率效率也提升了 10% 以上。
三星電子將于2026年推出超過400層的高容量、高散熱的垂直鍵合（BV）NAND閃存，此舉旨在增強其根本的技術(shù)競爭力，并抓住目前落后的企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）市場的機遇。
內(nèi)存行業(yè)歷來專注于通過規(guī)模經(jīng)濟擴大產(chǎn)能以降低成本。由于三星和 SK 海力士在 NAND 市場處于領先地位，并有 DRAM 業(yè)務的支持，這些公司可能會繼續(xù)投資 NAND，盡管可能出現(xiàn)虧損，并利用 DRAM 的利潤來增強其在 NAND 領域的技術(shù)競爭力。